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MMBF5485产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5485由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5485价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorMMBF5485封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, RF Mosfet N-Channel JFET 15V 400MHz SOT-23-3。您可以下载MMBF5485参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF5485 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBF5485是一款N沟道MOSFET,属于射频(RF)场效应晶体管,常用于高频小信号放大和开关应用。该器件采用SOT-23小型封装,适合空间受限的便携式电子设备。 MMBF5485主要适用于工作频率较高的射频电路,常见应用场景包括:无线通信设备中的射频前端放大器、低噪声放大器(LNA)、射频开关以及各类高频信号调制解调电路。因其良好的跨导性能和较低的栅极电容,该器件在VHF/UHF频段表现优异,广泛应用于对信号灵敏度和高频响应要求较高的系统中。 典型使用领域涵盖:便携式无线电设备、无线局域网(WLAN)、物联网(IoT)无线模块、蓝牙和ZigBee等短距离无线通信系统。此外,也适用于电视调谐器、有线电视(CATV)设备及汽车电子中的射频信号处理单元。 由于MMBF5485为表面贴装器件,具有良好的高频稳定性和可靠性,适合自动化生产,因此在消费电子、工业控制和汽车电子中均有广泛应用。其低功耗特性也使其成为电池供电设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA SOT23射频JFET晶体管 NCh RF Transistor |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 10 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Fairchild Semiconductor MMBF5485- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF5485 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 100 mA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBF5485CT |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 噪声系数 | 4dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 25 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0035 S to 0.007 S |
| 电压-测试 | 15V |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 系列 | MMBF5485 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 4 V |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 10mA |