Datasheet下载- 型号： PD85035C
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85035C由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85035C价格参考。STMicroelectronicsPD85035C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD85035C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85035C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85035C是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于工作频率在800MHz至900MHz范围的无线通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施设备和工业通信设备。 PD85035C具有高增益、高效率和良好的线性度特性，使其非常适合用于GSM、CDMA、WCDMA等移动通信标准中的射频功率放大器模块（PAM）。此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间连续运行的通信设备使用。 总结来说，PD85035C的典型应用场景包括： 1. 移动通信基站（如GSM 900MHz系统）中的射频功率放大器； 2. 无线接入点和通信中继设备； 3. 工业与通信领域的射频发射模块； 4. 需要高效、高稳定性的射频功率放大的场合。 该器件凭借其优良的射频性能和可靠性，在无线通信基础设施中发挥着重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH LDMOST M243 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85035C |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 其它名称 | 497-12515 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF179627?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 15W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | M243 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 8A |
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