【未分类_MRF6VP3450HSR6】封装/厂家_MRF6VP3450HSR6中文资料_价格

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型号： MRF6VP3450HSR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP3450HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP3450HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP3450HSR6封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6VP3450HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP3450HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF6VP3450HSR6是一款射频晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频领域，具有以下典型应用场景：

1. 射频功率放大器：  
   MRF6VP3450HSR6适用于设计高效的射频功率放大器，广泛用于无线通信系统，如基站、中继站和其他需要高功率输出的场景。

2. 广播系统：  
   在广播行业中，该晶体管可用于调频（FM）或甚高频（VHF）广播发射机，提供稳定的功率输出以覆盖更大的区域。

3. 工业、科学和医疗（ISM）应用：  
   该器件适合用于ISM频段的设备，例如微波加热、等离子体生成或其他需要高射频功率的应用。

4. 航空航天与国防：  
   在雷达系统、卫星通信和电子战设备中，MRF6VP3450HSR6可提供可靠的高功率射频性能，满足严苛环境下的需求。

5. 测试与测量设备：  
   该晶体管可用于高性能信号发生器、频谱分析仪和其他测试设备中，确保精确的射频信号处理能力。

其高效率和宽带性能使其成为多种复杂射频系统的理想选择，能够支持从几十兆赫兹到超过1千兆赫兹的工作频率范围。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 450W NI1230S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6VP3450HSR6
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S
功率-输出	90W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	22.5dB
封装/外壳	NI-1230S
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	150
电压-测试	50V
电压-额定	110V
电流-测试	1.4A
频率	860MHz
额定电流	10µA