Datasheet下载- 型号： BLF7G22LS-200,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22LS-200,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22LS-200,118价格参考￥604.41-￥604.41。NXP SemiconductorsBLF7G22LS-200,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G22LS-200,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G22LS-200,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的型号为 BLF7G22LS-200,118 的产品属于射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件特别适用于工业、科学和医疗（ISM）频段中的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成和工业加热设备。 此外，BLF7G22LS-200,118 也广泛应用于广播领域，特别是调频（FM）和数字音频广播（DAB）发射机中，作为高效功率放大器使用。其高功率输出和良好的热稳定性使其适合在连续高功率工作条件下运行。 该MOSFET还适用于通信基础设施中的基站放大器、雷达系统和测试设备等射频功率放大场景。其LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术提供了高效率、高线性度和良好的可靠性，适合现代通信系统对高性能射频器件的需求。 总之，BLF7G22LS-200,118 主要应用于射频功率放大领域，涵盖广播、通信、工业加热及测试设备等多个行业。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G22LS-200,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064461118 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.62A |
| 频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
| 额定电流 | 29.5A |
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