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  • 型号: BLF6G38-10G,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G38-10G,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G38-10G,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G38-10G,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF6G38-10G,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G38-10G,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的型号 BLF6G38-10G,112 是一款高功率射频MOSFET晶体管,主要用于射频功率放大应用。其典型应用场景包括:

1. 广播发射机:用于调频(FM)和数字音频广播(DAB)等发射系统中,作为高效的射频功率放大器使用。  
2. 工业加热设备:在感应加热、介质加热等工业应用中,提供高稳定性和高效率的射频能量输出。  
3. 医疗设备:如射频消融设备,用于精准控制射频能量的输出。  
4. 测试与测量设备:作为射频信号放大模块,用于通信系统测试、射频实验室环境中的信号增强。  
5. 无线基础设施:适用于基站、通信中继站等场景下的射频功率放大,支持多种通信标准。

该器件工作频率范围宽,输出功率高,具备良好的热稳定性和可靠性,适合在高温和高功率环境下运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC WIMAX 3.8GHZ 2-LDMOST

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF6G38-10G,112

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

CDFM2

其它名称

934061847112
BLF6G38-10G
BLF6G38-10G-ND

功率-输出

2W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

14dB

封装/外壳

SOT-975C

晶体管类型

LDMOS

标准包装

60

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

130mA

频率

3.4GHz ~ 3.6GHz

额定电流

3.1A

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