Datasheet下载- 型号： BLF8G20LS-200V,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G20LS-200V,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G20LS-200V,115价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G20LS-200V,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G20LS-200V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G20LS-200V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF8G20LS-200V,115 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要应用于高频、高功率的射频领域，具有以下典型应用场景：
1. 射频放大器
- BLF8G20LS-200V,115 常用于设计射频功率放大器（RF Power Amplifiers），特别是在无线通信系统中。其高功率处理能力和优异的射频性能使其适合于广播、蜂窝基站和其他需要高效率和高增益的射频应用。
- 具体应用包括：
- 无线通信基站：支持 GSM、CDMA、LTE 等通信标准。
- 对讲机和移动无线电设备：提供稳定的射频输出。
2. 广播电视
- 在广播领域，这款器件可用于电视和调频广播发射机中的功率放大级。它能够处理高功率信号，确保广播信号覆盖范围广且质量稳定。
3. 雷达系统
- 雷达系统需要高效的射频功率放大器来传输远距离信号。BLF8G20LS-200V,115 可用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他类型的雷达系统中，提供高可靠性和高效率的射频输出。
4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
- 在 ISM 应用中，例如射频加热、等离子体生成和医疗设备（如射频消融设备），该器件可作为功率放大器的核心组件，提供所需的高功率射频能量。
5. 测试与测量设备
- 在射频测试仪器中，例如信号发生器和频谱分析仪，BLF8G20LS-200V,115 可用于产生或放大射频信号，以满足测试需求。
技术特点支持的应用场景
- 200V 耐压能力：适用于高电压环境下的射频应用。
- 115W 输出功率：能够满足高功率射频系统的需求。
- 低热阻封装：提高散热性能，适合长时间高功率运行。
- 宽带频率范围：支持多种射频应用的频率要求。
总结来说，BLF8G20LS-200V,115 主要应用于需要高功率射频放大的场景，如通信基站、广播设备、雷达系统、ISM 设备以及测试测量仪器等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 200W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G20LS-200V,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934066525115 |
| 功率-输出 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1120B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.8GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | - |
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