Datasheet下载- 型号： BLF6G15LS-250PBRN,
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G15LS-250PBRN,由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G15LS-250PBRN,价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G15LS-250PBRN,封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G15LS-250PBRN,参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G15LS-250PBRN, 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 是一家专注于射频（RF）功率半导体解决方案的公司，BLF6G15LS-250PBRN 是其一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。 该器件适用于工作频率在1.8 MHz至6000 MHz范围内，具备高输出功率、高效率和高可靠性的特点，典型应用包括： 1. 广播发射机：用于调幅（AM）、调频（FM）和数字广播系统中的高功率射频放大。 2. 工业加热设备：如感应加热、等离子体发生器等需要高功率射频能量的设备。 3. 医疗设备：例如用于肿瘤治疗的射频消融设备。 4. 通信基础设施：包括蜂窝基站、广播通信系统、军用通信设备等。 5. 测试与测量设备：用于射频功率测试和仿真系统的信号放大。 该MOSFET采用先进的LDMOS技术，具有良好的热稳定性和线性性能，适合连续波（CW）和脉冲工作模式，广泛应用于需要高可靠性和高效率的射频功率放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1110B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G15LS-250PBRN, |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934064302112 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | - |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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