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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85015STR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85015STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD85015STR-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PD85015STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD85015STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85015STR-E是一款射频MOSFET晶体管,主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率范围较宽的无线通信系统,如蜂窝基站、无线基础设施、工业和医疗射频设备等场景。其高功率密度和良好热稳定性使其适合用于需要高效能和高可靠性的射频放大电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85015STR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF(直引线) |
| 其它名称 | 497-12511-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF204396?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 15W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 5A |