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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLA1011-300,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLA1011-300,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA1011-300,112价格参考。NXP SemiconductorsBLA1011-300,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLA1011-300,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA1011-300,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLA1011-300,112 是一款高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），专为高效率、高功率的射频放大应用设计。该器件广泛应用于无线通信基础设施领域，尤其适用于工作在700 MHz至1000 MHz频率范围内的基站功率放大器，如4G LTE和5G通信系统中的宏蜂窝基站。 BLA1011-300,112具备出色的功率增益和高能效特性，支持多载波放大需求，能够在高线性度条件下提供稳定的输出功率，适合用于需要高可靠性和长寿命的关键通信设备。其优异的热稳定性和坚固的封装设计使其能在严苛环境下持续运行，因此也常用于公共安全通信、广播传输及工业级无线系统中。 此外，该MOSFET支持Doherty放大器架构，有助于提升整体功放系统的能效，降低运营能耗与散热成本，符合现代绿色通信的发展趋势。凭借Ampleon在射频功率技术领域的领先地位，BLA1011-300,112成为构建高效、紧凑型射频前端模块的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS NCH 75V SOT957A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA1011-300,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934059724112 |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-957A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 额定电流 | 15A |
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