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  • 型号: BLF2425M6L180P,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M6L180P,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M6L180P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M6L180P,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF2425M6L180P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF2425M6L180P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF2425M6L180P,118是Ampleon USA Inc.推出的一款射频MOSFET晶体管,主要应用于工业、科学和医疗(ISM)频段的高功率射频系统中。该器件工作频率范围覆盖2400–2500 MHz,特别适用于2.4 GHz ISM频段,广泛用于射频能量应用,如微波加热、工业加热、食品加工、材料干燥及等离子体生成等场景。

其高效率和高输出功率能力(可提供数百瓦的连续波输出功率)使其在需要稳定、可靠射频能量输出的设备中表现优异。此外,该MOSFET采用先进的LDMOS技术,具备良好的热稳定性和耐用性,适合在高温、高负载环境下长期运行。器件封装为陶瓷金属封装(Ceramic Metal Package),具有优良的散热性能和机械可靠性,适用于强制风冷或水冷散热系统。

BLF2425M6L180P,118也常用于射频激励源、科研实验设备以及部分通信基站的特殊用途放大器中。由于其高增益和线性度,能够在复杂调制信号下保持低失真,适合对信号质量要求较高的工业与科研应用。整体而言,该器件是2.4 GHz高功率射频系统中的关键元件,广泛服务于工业加热和能源转换领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF POWR LDMOS SOT539A

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BLF2425M6L180P,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT539A

其它名称

934066104118

功率-输出

180W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

13.3dB

封装/外壳

SOT539A

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

10mA

频率

2.4GHz ~ 2.5GHz

额定电流

-

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