【未分类_LET9150】封装/厂家_LET9150中文资料_价格

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型号： LET9150
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供LET9150由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LET9150价格参考。STMicroelectronicsLET9150封装/规格：未分类，暂无。您可以下载LET9150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LET9150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的LET9150是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要应用于高频信号处理领域。以下是其典型应用场景：

1. 射频功率放大器：LET9150适用于设计和构建射频功率放大器，用于无线通信系统中对信号进行高效放大。它能够处理较高的射频功率，满足广播、蜂窝网络及专用无线通信的需求。

2. 无线电设备：在业余无线电、短波广播和其他无线电应用中，该器件可用于实现信号增强或驱动输出级。它的高频率特性使其成为理想选择。

3. 工业科学医疗（ISM）频段设备：在ISM频段内工作的设备（如无线传感器网络、微波炉等），需要高效的射频能量转换，LET9150可以提供必要的功率支持。

4. 测试与测量仪器：射频测试仪器（如信号发生器、频谱分析仪等）中可能用到LET9150来生成或处理特定频率范围内的信号。

5. 雷达系统：某些小型雷达装置也可能采用这种类型的MOSFET作为关键组件之一，用于目标检测和距离测量中的信号发射部分。

6. 卫星通信终端：地面站或便携式卫星通信设备中，LET9150可用于上行链路信号的放大，确保信号能有效传输至卫星。

总之，LET9150凭借其优异的射频性能，在需要高效射频功率转换的各种电子系统中发挥着重要作用。具体应用时需根据实际电路设计要求合理选用相关参数以达到最佳效果。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 80V 20A M-246射频MOSFET晶体管 RF Power LdmoST 150W 20 dB 860MHz
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	20 A
Id-连续漏极电流	20 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics LET9150-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	LET9150
Pd-PowerDissipation	269 W
Pd-功率耗散	269 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	80 V
Vds-漏源极击穿电压	80 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	15 V
Vgs-栅源极击穿电压	15 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	M246
其它名称	497-12493 LET9150-ND
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1822/PF248052?referrer=70071840
功率-输出	150W
功率耗散	269 W
包装	散装
商标	STMicroelectronics
噪声系数	-
增益	20 dB at 860 MHz
安装风格	SMD/SMT
封装	Bulk
封装/外壳	M246
封装/箱体	M246
工厂包装数量	20
技术	LDMOS
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	LDMOS Power
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	20
汲极/源极击穿电压	80 V
漏极连续电流	20 A
电压-测试	32V
电压-额定	80V
电流-测试	600mA
系列	LET9150
输出功率	150 W
配置	Dual
闸/源击穿电压	15 V
频率	2 GHz
额定电流	20A