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Datasheet下载- 型号： BLA6G1011LS-200RG,
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLA6G1011LS-200RG,产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLA6G1011LS-200RG,由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA6G1011LS-200RG,价格参考。NXP SemiconductorsBLA6G1011LS-200RG,封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST。您可以下载BLA6G1011LS-200RG,参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA6G1011LS-200RG, 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLA6G1011LS-200RG是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大场景。该器件基于先进的LDMOS技术，具备高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于工作频率在1.8 GHz至2.2 GHz范围内的系统。 其主要应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、应急指挥系统）、工业与商业无线通信基站、广播发射设备以及ISM频段（工业、科学和医疗）的高功率射频源。此外，该器件也适用于需要高线性度和稳定输出的4G LTE基础设施，以及部分5G扩展频段的信号增强设备。 BLA6G1011LS-200RG采用紧凑的封装设计，支持高功率连续波（CW）和脉冲操作，适合空间受限但对性能要求严苛的应用环境。其良好的输入/输出匹配特性可减少外围元件数量，简化电路设计，提高系统可靠性。同时，该器件具备优异的抗负载失配能力，可在复杂电磁环境中保持稳定运行。 综上，BLA6G1011LS-200RG是一款面向专业通信领域的关键射频功率放大器件，特别适用于高可靠性、高效率要求的无线基础设施和专用通信系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PWR LDMOS 200W SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA6G1011LS-200RG, |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8531 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-502C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 额定电流 | 49A |
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