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- 型号： BLF8G22LS-140U
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G22LS-140U由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G22LS-140U价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G22LS-140U封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G22LS-140U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G22LS-140U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G22LS-140U 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件工作在 L 波段至 S 波段，典型工作频率范围为 2.11–2.2 GHz，具备高达 140W 的输出功率和优异的功率增益与效率，适用于对性能要求严苛的通信系统。 其主要应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、应急指挥系统）、无线基础设施（如基站和中继站）、工业射频加热设备以及广播发射系统。此外，该器件也广泛用于军用和民用雷达系统，因其具备良好的热稳定性和可靠性，适合在高温和高负载环境下长期运行。 BLF8G22LS-140U 采用先进的封装技术，具有优良的散热性能，支持连续波（CW）和脉冲模式操作，能够满足多载波和复杂调制信号的线性放大需求。因此，在需要高线性度和高效率的数字通信系统（如 LTE 和 5G 基站扩展应用）中也有重要应用。 总之，BLF8G22LS-140U 凭借其高功率输出、高效率和稳定性，广泛应用于通信、广播、雷达及工业领域中的关键射频放大环节。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 140W LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G22LS-140U |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934067454112 |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
| 额定电流 | 4.2µA |
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