Datasheet下载- 型号： BLF8G22LS-200V,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G22LS-200V,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G22LS-200V,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G22LS-200V,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G22LS-200V,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G22LS-200V,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF8G22LS-200V,112 是一款高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于LDMOS技术，主要应用于高功率射频放大场景。该器件工作频率范围覆盖VHF至2.2 GHz以下，典型用于2.1 GHz至2.2 GHz频段，输出功率高达200W，具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基站：广泛用于4G LTE及5G宏蜂窝基站的功率放大器模块中，特别是在Bands 34、39、40、41等TDD频段，支持大容量数据传输和广域覆盖。 2. 工业与公共安全通信系统：适用于需要高可靠性和强信号穿透能力的专业移动无线电（PMR）、公共安全网络（如警察、消防、应急通信）中的高功率发射机。 3. 广播发射设备：可用于数字电视（DTV）和调频广播（FM）发射系统的末级功率放大，满足高线性度和长期运行稳定性的要求。 4. 航空与国防电子：在雷达系统、电子战设备和军用通信平台中作为关键射频功率器件，提供高功率密度和抗干扰能力。 BLF8G22LS-200V,112采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，适合在严苛环境下长时间运行。其高耐用性和对驻波比（VSWR）失配的耐受能力，使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作，是现代高功率射频系统中的核心组件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 200W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G22LS-200V,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934066758112 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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