Datasheet下载- 型号： BLF6G10-45,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10-45,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10-45,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10-45,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10-45,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10-45,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的型号BLF6G10-45,112是一款射频功率MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于工作频率在10MHz至4GHz范围内的射频系统，具有高效率、高线性度和高可靠性等特点。 其典型应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于4G/5G移动通信基站的射频功率放大器，提供高效的信号放大，支持高数据传输速率和稳定的通信质量。 2. 广播发射系统：用于调频（FM）或数字音频广播（DAB）等广播系统的发射机中，作为主功率放大器，提供高稳定性和高输出功率。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器、医疗射频治疗设备等，用于提供可控的射频能量输出。 4. 测试与测量设备：在射频信号发生器、功率放大器模块等测试设备中作为核心放大元件，用于科研、生产和维修中的信号放大与测试。 5. 军事与航空航天系统：适用于需要高可靠性和宽频率范围的雷达、电子战系统和通信设备中。 该器件采用先进的LDMOS技术，具备良好的热稳定性和抗失真能力，适合在高功率、高频率环境下稳定工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS 1GHZ SOT608A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10-45,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-7551 |
| 功率-输出 | 1W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-608A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| 额定电流 | 13A |
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