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Datasheet下载- 型号： BF1107,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BF1107,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1107,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1107,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1107,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 TO-236AB（SOT23）。您可以下载BF1107,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1107,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BF1107,215的射频MOSFET晶体管，由NXP USA Inc.生产，主要应用于射频（RF）电路领域。该器件特别适用于需要高频操作的场景，如无线通信系统、射频放大器、射频开关以及射频信号处理电路。 BF1107,215具备良好的高频特性和稳定性，因此在射频前端模块、无线基站、广播设备、测试仪器以及工业控制系统中均有广泛应用。其设计支持较高的工作频率范围，适合用于UHF（超高频）和VHF（甚高频）波段的应用。 此外，该MOSFET还适用于低噪声放大器（LNA）和中功率射频放大器设计，具备较好的线性度和效率，有助于提升通信系统的信号质量和传输稳定性。由于其封装小巧、性能可靠，也适合用于空间受限的高密度电路设计中。 综上，BF1107,215常用于通信设备、射频模块、测试仪器及工业控制等对射频性能有较高要求的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23射频MOSFET晶体管 N-Channel 3V 10mA |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 mA |
| Id-连续漏极电流 | 10 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF1107,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF1107,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 7 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 7 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 7 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6146-1 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 7 V |
| 漏极连续电流 | 10 mA |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 3V |
| 电流-测试 | - |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 7 V |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 10mA |
