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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK209-BL(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK209-BL(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK209-BL(TE85L,F)封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道 JFET 10V 500µA 1kHz SC-59。您可以下载2SK209-BL(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK209-BL(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK209-BL(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的一款N沟道MOSFET射频晶体管,属于射频功率放大器应用中的小信号场效应管。该器件主要用于高频、低噪声的射频信号放大场景。 其典型应用场景包括:电视调谐器、FM收音机、无线通信设备及各类家用视听设备中的射频前端电路。由于具备良好的增益特性和较低的噪声系数,2SK209-BL特别适用于VHF/UHF频段的信号接收与放大,能够有效提升接收灵敏度和信号质量。此外,该型号采用小型表面贴装封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局,广泛用于空间受限的便携式电子设备。 该器件工作稳定,功耗低,适合电池供电或对能效要求较高的系统。常见于模拟电视调谐模块、有线电视盒、卫星接收装置以及工业用射频传感设备中。由于其可靠的性能和成熟的工艺,2SK209-BL在消费类电子和工业电子领域仍具一定应用价值,尤其在需要稳定射频小信号放大的传统设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH S-MINI FETJFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 14 mA |
Id-连续漏极电流 | 14 mA |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1924615&lineid=53&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Toshiba 2SK209-BL(TE85L,F)- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SK209-BL(TE85L,F)2SK209-BL(TE85L,F) |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SC-59 |
其它名称 | 2SK209-BL(TE85LF)DKR |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Toshiba |
噪声系数 | 1dB |
增益 | - |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | N 通道 JFET |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏极连续电流 | 14 mA |
电压-测试 | 10V |
电压-额定 | - |
电流-测试 | 500µA |
系列 | 2SK209 |
配置 | Single |
频率 | 1kHz |
额定电流 | - |