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  • 型号: FQD2P40TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2P40TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2P40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2P40TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 400V 1.56A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD2P40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD2P40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAKMOSFET P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5Ohms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.56 A

Id-连续漏极电流

1.56 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD2P40TMQFET®

数据手册

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产品型号

FQD2P40TM

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

6.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 400 V

Vds-漏源极击穿电压

- 400 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

33 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 欧姆 @ 780mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

FQD2P40TM-ND
FQD2P40TMTR

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.56A (Tc)

系列

FQD2P40

通道模式

Enhancement

配置

Single

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