Datasheet下载- 型号： BLF8G09LS-270GWJ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G09LS-270GWJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G09LS-270GWJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G09LS-270GWJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G09LS-270GWJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G09LS-270GWJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G09LS-270GWJ是Ampleon USA Inc.生产的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件工作频率范围覆盖从DC到约1.2 GHz，特别适用于900 MHz频段，因此广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备中。 典型应用场景包括：射频能量应用，如感应加热、等离子发生器和介质加热设备；无线通信基础设施中的高效率功率放大器，如4G/LTE基站和未来5G增强型宏基站；此外，也适用于高可靠性广播发射机，如FM和数字音频广播（DAB）系统。 BLF8G09LS-270GWJ采用先进的LDMOS技术，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，支持连续波（CW）和脉冲工作模式。其集成源极贴片封装（Overmolded Power SMD）设计有利于表面贴装，提升生产自动化水平，同时优化散热性能，适合紧凑型高功率模块设计。 由于其高可靠性和耐用性，该器件还被用于航空、国防领域的雷达系统和电子战设备中，满足严苛环境下的长期稳定运行需求。 总之，BLF8G09LS-270GWJ是一款面向高功率、高频应用的先进射频MOSFET，适用于通信、工业加热和国防等多个关键领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 270W LDMOS CDFM6 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G09LS-270GWJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934068047118 |
| 功率-输出 | 67W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 718.5MHz ~ 725.5MHz |
| 额定电流 | - |
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