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- 型号： MRF8P20100HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20100HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20100HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20100HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20100HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20100HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20100HSR5是NXP USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，属于高功率LDMOS器件，主要应用于高频、高效率的射频放大场景。该器件典型工作频率可达1.2GHz以下，具备高输出功率（可达100W）、高增益和优良的热稳定性，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备。 其主要应用场景包括： 1. 射频能量应用：如感应加热、等离子发生器、介质加热等工业加热系统，利用其高效率和稳定输出提供可靠的射频能量源。 2. 医疗设备：用于射频消融、理疗仪器等需要精确控制射频功率的医疗装置中。 3. 广播与通信系统：在FM广播发射机、地面通信基站或专用无线通信设备中作为末级功率放大器。 4. 雷达与航空电子：适用于低占空比脉冲雷达系统或其他对功率和可靠性要求较高的军用或民用航空设备。 MRF8P20100HSR5采用坚固的陶瓷封装（SOT1254-1），具备良好的散热性能和抗环境应力能力，适合严苛工作环境。配合适当的匹配电路和散热设计，可在连续波（CW）和脉冲模式下稳定运行。由于其高可靠性和成熟的设计支持，广泛受到射频工程师青睐，特别适用于需长期连续运行的高功率射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20100HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 400mA |
| 频率 | 2.03GHz |
| 额定电流 | - |
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