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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-541M4-TR2由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-541M4-TR2价格参考。Avago TechnologiesATF-541M4-TR2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet pHEMT FET 3V 60mA 2GHz 17.5dB 21.4dBm MiniPak 1412。您可以下载ATF-541M4-TR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-541M4-TR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-541M4-TR2是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓(GaAs)增强型伪形貌场效应晶体管(pHEMT),属于射频MOSFET类别。该器件专为低噪声、高增益的射频放大应用设计,广泛应用于无线通信系统中。 其典型应用场景包括:蜂窝基站的低噪声放大器(LNA)、无线局域网(WLAN,如Wi-Fi 6/6E)、点对点微波通信、卫星通信系统、雷达前端模块以及测试与测量设备。由于具备极低的噪声系数(在2GHz下典型值低于0.4dB)和高增益特性(超过18dB),ATF-541M4-TR2非常适合在接收链路中提升信号灵敏度,有效增强系统整体性能。 此外,该器件工作电压较低(通常为3V或5V),功耗小,适合对能效要求较高的便携式或高密度集成设备。其采用小型化表面贴装封装(SOT-343),便于在紧凑型射频电路板上布局,适用于高频段(覆盖DC至4 GHz范围)工作的系统。 综上,ATF-541M4-TR2凭借优异的低噪声性能、高稳定性和宽带特性,成为现代高性能射频接收系统中的关键元件,尤其适用于需要高信噪比和可靠性的通信基础设施与高端电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Avago Technologies US Inc. |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV01-0621EN |
产品图片 | |
产品型号 | ATF-541M4-TR2 |
PCN设计/规格 | http://www.avagotech.com/docs/V13-004-480035-0A |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | MiniPak 1412 |
功率-输出 | 21.4dBm |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | 0.5dB |
增益 | 17.5dB |
封装/外壳 | 0505(1412 公制) |
应用说明 | http://www.avagotech.com/docs/5988-9004EN |
晶体管类型 | pHEMT FET |
标准包装 | 10,000 |
电压-测试 | 3V |
电压-额定 | 5V |
电流-测试 | 60mA |
频率 | 2GHz |
额定电流 | 120mA |