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Datasheet下载- 型号： MMBFJ211
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ211由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ211价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ211封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBFJ211参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ211 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MMBFJ211是一款N沟道JFET（结型场效应晶体管），属于射频MOSFET/FET类别，常用于高频模拟信号处理。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，具有低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性，适用于对信号保真度要求较高的射频和模拟电路。 典型应用场景包括： 1. 射频放大器：MMBFJ211广泛应用于VHF/UHF频段的小信号放大电路，如无线通信接收机前端、射频信号预放大器等，因其优异的高频响应和低噪声性能，有助于提升接收灵敏度。 2. 模拟开关与调制电路：凭借其良好的开关特性和线性控制能力，可用于射频信号路径中的模拟开关或增益控制电路。 3. 音频与传感器前置放大：虽然主要用于射频领域，但其低噪声特性也使其适用于高保真音频前置放大器或微弱信号传感器的输入级放大。 4. 便携式与电池供电设备：由于功耗较低且封装小巧，适合用于手机、无线传感器、物联网设备等空间受限的便携式电子产品中。 5. 工业与汽车电子系统：在需要稳定高频性能的工业控制、车载通信模块中也有应用。 总之，MMBFJ211是一款高性能小信号JFET，特别适合需要低噪声、高输入阻抗和良好高频特性的射频与模拟应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23射频JFET晶体管 NCh RF Transistor |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 20 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Fairchild Semiconductor MMBFJ211- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ211 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 7 mA to 60 mA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBFJ211DKR |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 25 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.006 S to 0.012 S |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 系列 | MMBFJ211 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 4.5 V |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 20mA |
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