Datasheet下载- 型号： BLF7G20L-90P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20L-90P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20L-90P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20L-90P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G20L-90P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G20L-90P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的型号BLF7G20L-90P,112是一款射频功率MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件特别适用于工作频率在2GHz以下的通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机以及工业和医疗射频设备。 BLF7G20L-90P,112具备高效率和高线性度的特点，适合用于4G/5G基站的功率放大器设计，能提供稳定的输出功率，同时支持复杂调制信号的放大，确保信号传输质量。此外，该器件耐高温性能良好，可靠性高，适合长时间连续工作的工业场景。 该晶体管采用先进的封装技术，具备良好的散热能力，便于集成在紧凑型射频模块中。其高增益和低失真特性也使其在多载波通信系统中表现出色，广泛用于无线基础设施、广播发射机、雷达和测试设备等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G20L-90P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064087112 |
| 功率-输出 | 84W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 18A |
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