Datasheet下载- 型号： MRF6S19200HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19200HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19200HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19200HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19200HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19200HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6S19200HR3的射频MOSFET晶体管，由NXP USA Inc.生产，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在860MHz至960MHz之间，输出功率高，效率优异，具备良好的热稳定性和耐用性，因此广泛用于移动通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机、工业加热设备以及射频测试仪器等场景。 该器件采用高可靠性封装，适用于需要高功率和高稳定性的工业环境。例如，在无线通信系统中，它可作为主功率放大器，用于增强信号发射强度；在广播系统中，可用于调频广播和电视发射机的射频功率放大；在工业领域，可用于射频能量应用，如等离子体发生器或材料加热处理设备。 MRF6S19200HR3凭借其优异的射频性能和稳定性，成为许多高性能射频功率系统中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19200HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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