ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > ATF-55143-TR2G
Datasheet下载- 型号： ATF-55143-TR2G
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-55143-TR2G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-55143-TR2G价格参考。Avago TechnologiesATF-55143-TR2G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet E-pHEMT 2.7V 10mA 2GHz 17.7dB 14.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-55143-TR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-55143-TR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-55143-TR2G是由Broadcom Limited（原Avago Technologies）生产的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET/场效应晶体管类别。该器件专为低噪声、高增益和高线性度的射频应用设计，广泛应用于高频通信系统中。 其主要应用场景包括：无线基础设施设备中的低噪声放大器（LNA），适用于蜂窝基站接收链路；工作频率范围覆盖DC至4 GHz，适合GSM、CDMA、WCDMA、LTE及5G Sub-6GHz等移动通信频段。此外，该器件也常用于微波点对点通信、卫星通信系统、无线本地环路（WLL）以及宽带数据传输系统中的前端放大模块。 ATF-55143-TR2G具有极低的噪声系数（典型值0.4 dB @ 2 GHz）、高增益（约18 dB @ 2 GHz）和出色的线性性能，可在低电压（如2V）下稳定工作，兼顾能效与性能。因此，它非常适合对灵敏度和信号保真度要求较高的接收系统。同时，采用小型化表面贴装封装（SOT-343），便于高密度电路布局，适用于空间受限的射频模块设计。 总之，ATF-55143-TR2G是一款面向现代宽带无线通信系统的高性能射频晶体管，广泛应用于基站、微波通信和各类高频低噪声放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA SOT-343 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0923EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATF-55143-TR2G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 功率-输出 | 14.4dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.6dB |
| 增益 | 17.7dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 2.7V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 100mA |
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