Datasheet下载- 型号： BLP7G22-10Z
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP7G22-10Z由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP7G22-10Z价格参考。NXP SemiconductorsBLP7G22-10Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLP7G22-10Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP7G22-10Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP7G22-10Z是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大系统中。其主要使用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、介质加热、等离子体生成以及射频消融设备等。该器件工作频率覆盖7 MHz至12 MHz，具备1000W的高输出功率能力，适合需要高效、稳定射频能量输出的工业加热与处理系统。 此外，BLP7G22-10Z也适用于广播领域的高功率AM发射机，提供良好的线性度和热稳定性，确保信号传输的可靠性与效率。其坚固的结构设计和优异的散热性能使其在持续高负载运行环境下仍能保持长久可靠性，非常适合对系统稳定性要求严苛的工业与通信应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS 12HVSON |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP7G22-10Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 12-HVSON（6x4） |
| 其它名称 | 934065973515 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | 12-VDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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