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- 型号： BLF7G27L-150P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27L-150P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27L-150P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27L-150P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27L-150P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27L-150P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G27L-150P,112是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频放大场景。该器件工作频率范围覆盖DC至2.7 GHz，输出功率可达150瓦，具备高效率和良好的热稳定性，适用于连续波（CW）和脉冲工作模式。 其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、等离子体生成、射频干燥和医疗设备中的射频消融等。此外，该器件也广泛用于无线基础设施中的高功率射频放大器，如陆地集群无线电（TETRA）、公共安全通信系统以及广播发射系统。由于其出色的宽带性能和可靠性，BLF7G27L-150P,112也适用于测试与测量设备中的射频信号放大模块。 该器件采用先进的硅基LDMOS技术，提供优异的增益和功率附加效率（PAE），同时具备良好的抗失配能力和内置静电放电（ESD）保护，增强了系统运行的稳定性和耐用性。其封装形式为陶瓷无引线封装，有助于高效散热，适合在高温、高负荷环境下长期稳定工作。 综上所述，BLF7G27L-150P,112是一款适用于高功率、宽频带射频应用的可靠器件，广泛服务于工业加热、医疗设备、专业通信及测试设备等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT539A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G27L-150P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 934064579112 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 37A |
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