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  • 型号: BLF6G10LS-260PRN:1
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-260PRN:1由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-260PRN:1价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-260PRN:1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF6G10LS-260PRN:1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G10LS-260PRN:1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF6G10LS-260PRN:1 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类别,并专用于射频(RF)应用。以下是该器件的主要应用场景:

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - 该型号的 MOSFET 主要用于射频功率放大器的设计,适用于高频通信系统。其高频率特性和高效能使其适合在无线通信设备中放大射频信号。
   - 典型应用包括基站、中继站和卫星通信系统中的功率放大模块。

 2. 广播系统
   - 在广播领域,例如 FM/AM 广播发射机中,该器件可用于提高信号传输的效率和覆盖范围。
   - 它能够处理高功率射频信号,确保广播信号的稳定性和清晰度。

 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段的应用中,例如微波加热、等离子体生成和医疗设备(如射频消融治疗),该 MOSFET 可提供稳定的功率输出。
   - 其高效的能量转换特性有助于降低能耗并提高设备性能。

 4. 航空与国防
   - 在雷达系统、电子对抗设备和其他国防相关应用中,BLF6G10LS-260PRN:1 能够支持高功率射频信号的发射和接收。
   - 它具备良好的线性度和增益特性,适合复杂的信号处理需求。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中,如信号发生器、频谱分析仪等,该器件可作为核心功率放大组件,确保测试信号的准确性和稳定性。

 6. 业余无线电
   - 对于业余无线电爱好者,该器件可用于自制高功率射频放大器,提升通信距离和信号质量。

 技术特点支持的应用优势:
- 高频率操作:适用于 UHF 和 VHF 频段的高频应用。
- 高功率输出:能够在射频领域提供大功率信号放大。
- 高效率:降低热损耗,延长设备使用寿命。
- 可靠性强:适合长时间运行的工业级和军用级应用。

综上所述,BLF6G10LS-260PRN:1 是一款高性能的射频 MOSFET,广泛应用于通信、广播、工业、国防以及测试设备等领域,满足对高功率、高频率和高效率的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PWR LDMOS SOT539

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF6G10LS-260PRN:1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

CDFM4

其它名称

934064451112

功率-输出

40W

包装

管件

噪声系数

-

增益

22dB

封装/外壳

SOT539B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

20

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

1.8A

频率

917.5MHz ~ 962.5MHz

额定电流

64A

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