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产品简介:
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Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF6G10LS-260PRN:1 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类别,并专用于射频(RF)应用。以下是该器件的主要应用场景: 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers) - 该型号的 MOSFET 主要用于射频功率放大器的设计,适用于高频通信系统。其高频率特性和高效能使其适合在无线通信设备中放大射频信号。 - 典型应用包括基站、中继站和卫星通信系统中的功率放大模块。 2. 广播系统 - 在广播领域,例如 FM/AM 广播发射机中,该器件可用于提高信号传输的效率和覆盖范围。 - 它能够处理高功率射频信号,确保广播信号的稳定性和清晰度。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 - 在 ISM 频段的应用中,例如微波加热、等离子体生成和医疗设备(如射频消融治疗),该 MOSFET 可提供稳定的功率输出。 - 其高效的能量转换特性有助于降低能耗并提高设备性能。 4. 航空与国防 - 在雷达系统、电子对抗设备和其他国防相关应用中,BLF6G10LS-260PRN:1 能够支持高功率射频信号的发射和接收。 - 它具备良好的线性度和增益特性,适合复杂的信号处理需求。 5. 测试与测量设备 - 在射频测试仪器中,如信号发生器、频谱分析仪等,该器件可作为核心功率放大组件,确保测试信号的准确性和稳定性。 6. 业余无线电 - 对于业余无线电爱好者,该器件可用于自制高功率射频放大器,提升通信距离和信号质量。 技术特点支持的应用优势: - 高频率操作:适用于 UHF 和 VHF 频段的高频应用。 - 高功率输出:能够在射频领域提供大功率信号放大。 - 高效率:降低热损耗,延长设备使用寿命。 - 可靠性强:适合长时间运行的工业级和军用级应用。 综上所述,BLF6G10LS-260PRN:1 是一款高性能的射频 MOSFET,广泛应用于通信、广播、工业、国防以及测试设备等领域,满足对高功率、高频率和高效率的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PWR LDMOS SOT539 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BLF6G10LS-260PRN:1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | CDFM4 |
其它名称 | 934064451112 |
功率-输出 | 40W |
包装 | 管件 |
噪声系数 | - |
增益 | 22dB |
封装/外壳 | SOT539B |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 20 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 1.8A |
频率 | 917.5MHz ~ 962.5MHz |
额定电流 | 64A |