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- 型号： PTFA261301E V1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTFA261301E V1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTFA261301E V1价格参考。InfineonPTFA261301E V1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTFA261301E V1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTFA261301E V1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的PTFA261301E V1是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在UHF（特高频）至微波频段的无线通信系统，常用于基站、无线基础设施、工业和科学设备中的射频信号放大。 其典型应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于4G/5G基站的射频功率放大器模块，提供高线性度和高效率，满足现代通信标准对频谱效率和信号质量的要求。 2. 广播系统：如数字音频广播（DAB）和数字视频广播（DVB）系统中的射频发射模块，确保信号稳定传输。 3. 雷达与测试设备：用于雷达发射系统和射频测试仪器中的功率放大环节，具备良好的稳定性和可靠性。 4. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器和医疗射频治疗设备中，提供可控的高功率射频输出。 该器件具有高增益、低失真和良好的热稳定性，适合在高要求的射频环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/ptfa261301ef_ds_07.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304412b407950112b4114e761562 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTFA261301E V1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GOLDMOS® |
| 供应商器件封装 | H-30260-2 |
| 其它名称 | FA261301EV1XP |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 35 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.68GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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