Datasheet下载- 型号： MRF7S27130HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S27130HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S27130HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S27130HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S27130HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S27130HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S27130HR5是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，专为高频、高功率射频放大应用设计。该器件主要工作在2.5 GHz至2.7 GHz频段，适用于4G LTE、5G通信基础设施等现代无线通信系统。 其典型应用场景包括宏蜂窝基站的功率放大器（PA），特别是在多载波、高线性度要求的环境中表现出色。由于具备高增益、高效率和良好的热稳定性，MRF7S27130HR5广泛用于城市及郊区的无线网络覆盖，支持高数据吞吐量和稳定连接。此外，它也适用于工业级射频加热、射频能量应用以及需要高可靠性的公共安全通信系统。 该器件采用先进的封装技术，具有优异的散热性能，可在高功率连续波（CW）或调制信号下长期稳定运行，适合严苛的户外基站环境。配合适当的匹配电路，能有效提升系统整体能效，降低运营成本。总之，MRF7S27130HR5是一款面向现代移动通信基础设施的关键射频功率放大元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 23W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S27130HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 2.5GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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