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Datasheet下载- 型号： SI9407BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9407BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9407BDY-T1-E3价格参考。VishaySI9407BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 4.7A（Tc） 5W（Tc） 8-SO。您可以下载SI9407BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9407BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI9407BDY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。该型号的晶体管具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，使其在多种应用场景中表现出色。 1. 电源管理 SI9407BDY-T1-E3 常用于电源管理系统中的开关元件，如直流-直流转换器（DC-DC Converter）。它能够高效地控制电流的通断，减少功率损耗，特别适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的电源管理模块。此外，它也适用于电池充电电路，确保充电过程的安全性和效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，MOSFET 被用作开关器件，控制电机的启动、停止和调速。SI9407BDY-T1-E3 的低导通电阻有助于减少发热，提高系统的整体效率。它适用于小型电机驱动，如风扇、泵和家用电器中的电机控制。 3. 负载开关 该型号的 MOSFET 还可以作为负载开关使用，特别是在需要快速响应和低功耗的应用中。例如，在服务器、路由器和交换机等网络设备中，它可以用来控制不同负载的供电状态，确保系统在待机或休眠模式下的功耗最小化。 4. 电池保护电路 在电池管理系统中，MOSFET 可以用于过流保护、短路保护和过充/过放保护。SI9407BDY-T1-E3 的低导通电阻和快速开关特性使其成为电池保护电路的理想选择，尤其是在锂离子电池组中，它可以帮助延长电池寿命并提高安全性。 5. 汽车电子 在汽车电子领域，MOSFET 广泛应用于车身控制系统、电动助力转向系统（EPS）、空调系统等。SI9407BDY-T1-E3 具有良好的抗电磁干扰能力，能够在恶劣的汽车环境中稳定工作，确保车辆电气系统的可靠性和安全性。 6. 消费电子 除了上述应用，该型号的 MOSFET 还广泛应用于消费电子产品中，如电视、音响设备和智能家居产品。它可以在这些设备中用于电源切换、信号传输和接口保护等功能，提升产品的性能和用户体验。 总之，SI9407BDY-T1-E3 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用场景，尤其在需要高效能、低功耗和快速响应的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOICMOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9407BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9407BDY-T1-E3SI9407BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI9407BDY-E3 |
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