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- 型号： BLF8G27LS-140,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-140,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-140,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-140,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-140,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-140,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G27LS-140,118 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，适用于高频率和高功率应用场景。该器件主要设计用于在 800 MHz 至 2700 MHz 频率范围内工作，具备高效率、高增益和高耐用性的特点，广泛应用于以下领域： 1. 广播发射机：如调频广播（FM）、数字音频广播（DAB）和电视广播（DVB-T）等系统中作为高功率射频放大器，提供稳定的信号输出。 2. 工业加热设备：用于感应加热、介质加热等射频能量应用，提供高效的能量转换和稳定的功率输出。 3. 医疗设备：如射频消融设备，在微创治疗中用于精确控制和高可靠性。 4. 通信基础设施：包括蜂窝通信基站、微波通信和宽带无线接入系统，支持 4G/5G 等新一代通信标准。 5. 测试与测量设备：在射频测试系统中作为高功率放大模块，用于模拟真实工作环境以验证设备性能。 该器件采用坚固的封装设计，具备良好的热稳定性和抗失真能力，适合长时间高负荷运行，是专业射频功率放大应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-140,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934066768118 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.4dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.62GHz ~ 2.69GHz |
| 额定电流 | - |
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