Datasheet下载- 型号： BLF8G22LS-200V,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G22LS-200V,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G22LS-200V,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G22LS-200V,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G22LS-200V,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G22LS-200V,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G22LS-200V,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件基于 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具备出色的热稳定性和高效率，适用于工作在 880–960 MHz 频段的系统。 典型应用场景包括：陆地移动通信基站（如公共安全通信、集群通信系统）、工业加热设备、广播发射机以及ISM频段（工业、科学和医疗）中的射频能量应用。其高输出功率（可达200W以上）、高增益和良好的线性性能，使其在需要可靠、连续波（CW）或调制信号放大的场合表现优异。 此外，BLF8G22LS-200V,118 采用先进的封装技术，具有良好的散热性能和抗静电能力，适合在严苛环境下长期运行。广泛应用于4G/LTE基础设施及向5G过渡中的专用通信网络中，支持高数据吞吐量和稳定信号覆盖。 该器件通常用于推挽或单端放大器设计，配合适当的匹配电路，可实现高效能射频功率输出，是现代无线通信和射频能源系统中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 200W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G22LS-200V,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934066758118 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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