Datasheet下载- 型号： BLF6G15L-40BRN,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G15L-40BRN,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G15L-40BRN,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G15L-40BRN,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G15L-40BRN,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G15L-40BRN,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的BLF6G15L-40BRN,112是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在6GHz以下的通信系统，如无线基站、广播发射机、工业加热设备和医疗射频设备等。其高功率输出能力、良好的线性和热稳定性使其特别适合用于4G/5G通信基础设施、雷达系统和广播发射系统中的射频功率放大模块。此外，该MOSFET还具备高效率和高可靠性，适用于需要连续高功率运行的工业和通信应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1112A射频MOSFET晶体管 SINGLE 65V 11A 4.3S |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF6G15L-40BRN,112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF6G15L-40BRN,112 |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 11 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 11 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934064452112 |
| 功率-输出 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 250 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-1112A |
| 封装/箱体 | SOT-1112A |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 60 |
| 正向跨导-最小值 | 4.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 330mA |
| 输出功率 | 2.5 W |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 11 V |
| 频率 | 1.45 GHz to 1.55 GHz |
| 额定电流 | 11A |
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