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- 型号： BLF8G22LS-140J
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G22LS-140J由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G22LS-140J价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G22LS-140J封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G22LS-140J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G22LS-140J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G22LS-140J是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具有高增益、高效率和优异的热稳定性，适用于工作频率在806 MHz至960 MHz范围内的系统。 其典型应用场景包括陆地移动通信（如公共安全通信、应急调度系统）、广播发射机（如FM/数字音频广播）、工业加热设备以及ISM频段（工业、科学和医疗）高功率射频源。此外，BLF8G22LS-140J也广泛用于蜂窝通信基础设施中的基站功率放大器，支持GSM、CDMA、LTE等多种无线通信标准，尤其适合需要高线性度与高能效的宏蜂窝基站和大功率中继站。 该器件采用先进的封装技术，具备良好的散热性能和可靠性，能够在高驻波比（VSWR）条件下稳定工作，适应严苛的运行环境。其集成化设计有助于简化电路布局，提升系统整体性能，是现代高功率射频系统中关键的功率放大元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 140W LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G22LS-140J |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934067454118 |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
| 额定电流 | 4.2µA |
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