Datasheet下载- 型号： BLF6G27LS-75,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27LS-75,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27LS-75,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27LS-75,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27LS-75,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27LS-75,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G27LS-75,118 是一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件特别适用于 6GHz 及以下频段的无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机和工业加热设备等场景。 此型号器件具有高效率、高增益和高耐用性的特点，能够在较高的频率下保持稳定的输出功率，适合用于基站中的射频放大器模块，尤其是4G LTE及5G前传网络中的远程无线电单元（RRU）等关键部位。 此外，BLF6G27LS-75,118 还可用于广播系统中的高功率调制器和发射机，支持FM广播、电视广播等多种信号传输方式。其良好的热稳定性和抗失真能力也使其在专业级射频应用中表现出色，例如雷达模拟设备、测试仪器以及航空航天领域的通信系统。 综上所述，BLF6G27LS-75,118 主要应用于高性能射频功率放大场合，覆盖通信、广播、工业和测试等多个领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G27LS-75,118 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934063217118 |
| 功率-输出 | 9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 18A |
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