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Datasheet下载- 型号： DMG6968UDM-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6968UDM-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6968UDM-7价格参考。Diodes Inc.DMG6968UDM-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 N 沟道（双）共漏 Mosfet 阵列 20V 6.5A 850mW 表面贴装 SOT-26。您可以下载DMG6968UDM-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6968UDM-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMG6968UDM-7 是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双MOSFET配置，封装小巧（如DFN2020），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关效率，适合电池供电系统中的电源管理与负载开关应用。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源开关、电池保护电路和负载切换控制；也可用于DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关，提升能效。其P沟道特性简化了栅极驱动设计，无需额外电荷泵即可实现开关控制，降低整体方案复杂度和成本。 此外，DMG6968UDM-7 还广泛应用于热插拔电路、LED驱动电路以及各类低电压、低功耗的工业与通信模块中，提供可靠的开关性能和良好的热稳定性。由于其符合RoHS标准且具备优异的可靠性，适合对环保和长期稳定性要求较高的产品设计。总之，该器件凭借小尺寸、高效能和易用性，成为现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMG6968UDM-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 143pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | DMG6968UDMDICT |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A |
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