Datasheet下载- 型号： BLF8G22LS-270GVJ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G22LS-270GVJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G22LS-270GVJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G22LS-270GVJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G22LS-270GVJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G22LS-270GVJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.、型号为BLF8G22LS-270GVJ的器件属于射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频和微波频段的通信系统。该器件支持在8GHz以下频率工作，具备高效率、高增益和高输出功率能力，适合用于无线基础设施、广播系统、工业加热、雷达以及测试测量设备等场景。 BLF8G22LS-270GVJ采用先进的LDMOS技术，支持高电压操作（典型漏极电压为270V），能够在连续波（CW）或脉冲模式下稳定运行，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业和通信应用。其高效率特性也有助于降低功耗和散热需求，提高系统整体能效。 此外，该器件常用于4G/5G基站、数字广播发射机、医疗射频设备及工业射频能量应用中，作为功率放大器的核心元件，提供强劲的射频输出能力和良好的线性度表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 270W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G22LS-270GVJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934066912118 |
| 功率-输出 | 270W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.7dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2.4A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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