ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLP7G07S-140P,118
Datasheet下载- 型号： BLP7G07S-140P,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP7G07S-140P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP7G07S-140P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLP7G07S-140P,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 28V 700MHz ~ 1GHz 20.6dB 35W 4-HSOPF。您可以下载BLP7G07S-140P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP7G07S-140P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP7G07S-140P,118 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，专为射频功率放大应用设计。该器件主要应用于工作频率在700 MHz至1000 MHz范围内的无线通信系统，特别适用于UHF电视广播、地面数字电视（DTV）发射机以及高功率射频放大器模块。 其典型应用场景包括大功率射频发射设备中的末级或中间级功率放大，如电视台的主发射机、广播基站和高可靠性工业射频系统。由于具备高增益、高效率和良好的热稳定性，BLP7G07S-140P,118 能在高输出功率条件下保持稳定性能，适合长时间连续运行的环境。 此外，该器件采用先进的封装技术，具备优良的散热性能，可在高电压和高温环境下可靠工作，满足广播级设备对耐用性和一致性的严格要求。广泛用于需要高线性度与高能效的模拟与数字调制信号放大场合，如DVB-T、ATSC等数字电视标准的发射系统。 总之，BLP7G07S-140P,118 是面向专业广播与通信基础设施的关键射频功率器件，适用于对性能和可靠性要求极高的中高频段大功率放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP7G07S-140P,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 4-HSOPF |
| 其它名称 | 934066972118 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.6dB |
| 封装/外壳 | SOT-1223-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 700MHz ~ 1GHz |
| 额定电流 | - |
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