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MMBFJ177LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ177LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ177LT1G价格参考¥0.75-¥0.75。ON SemiconductorMMBFJ177LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBFJ177LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ177LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ177LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,采用SOT-23表面贴装封装。该器件具有低噪声、高输入阻抗和良好的开关特性,适用于多种模拟和高频电路设计。 主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:由于JFET固有的低噪声特性,MMBFJ177LT1G常用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中,尤其适合微弱信号的放大处理。 2. 射频(RF)电路:在无线通信设备中,该器件可用于射频放大器、混频器和振荡器等高频应用,因其具备良好的高频响应能力。 3. 模拟开关与调制电路:凭借其电压控制特性和快速开关性能,可作为模拟开关或增益控制元件,应用于信号路由和电平转换电路。 4. 电源管理与恒流源:可构建简单的恒流源电路,用于LED驱动或偏置电路设计。 5. 消费类电子:广泛应用于手机、便携式音频设备、耳机放大器等对空间和功耗敏感的产品中。 6. 工业与汽车电子:因符合AEC-Q101车规认证,也适用于汽车电子系统中的传感器接口和信号处理模块。 总之,MMBFJ177LT1G凭借其小型化封装、可靠性能和宽工作温度范围,成为现代电子设备中模拟信号处理的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET 25V 10mA |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBFJ177LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ177LT1G |
| PCN组件/产地 | |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 1.5 mA to 20 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 800mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V(VGS) |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBFJ177LT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 300 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ177L |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |