Datasheet下载- 型号： SST201-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SST201-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SST201-T1-E3价格参考。VishaySST201-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SST201-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SST201-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SST201-T1-E3 是一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），属于低噪声、小信号 JFET，广泛应用于对信号保真度和噪声性能要求较高的模拟电路中。 其典型应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于 SST201-T1-E3 具有较低的输入噪声，常用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路，尤其适用于麦克风、医疗设备和精密测量仪器中的微弱信号放大。 2. 模拟开关与调制电路：JFET 具有良好的线性特性和快速开关能力，适合用在模拟开关、电压控制电阻及调制解调电路中。 3. 高频小信号处理：该器件具有较高的跨导和频率响应，可用于射频（RF）前端电路或中频放大器，适用于通信设备中的小信号处理。 4. 恒流源设计：SST201-T1-E3 可构建稳定的电流源，用于偏置电路或驱动 LED、激光二极管等。 5. 便携式电子设备：因其采用小型 SOT-23 封装，功耗低、体积小，适合用于手机、耳机放大器、可穿戴设备等空间受限的应用。 总体而言，SST201-T1-E3 凭借其低噪声、高输入阻抗和优良的线性特性，在高保真音频、精密检测和高频模拟系统中表现出色，是中小信号处理领域的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SST201-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 300mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 200µA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4.5pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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