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产品简介:
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2SK932-24-TB-E是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。该器件具有良好的高频特性和低失真性能,适用于对信号完整性要求较高的应用场景。 其主要应用包括: 1. 音频放大器:由于JFET具有低噪声和高线性度的特点,因此广泛应用于前置放大器、麦克风前置放大器及高品质音频设备中。 2. 模拟开关与多路复用器:2SK932-24-TB-E可作为模拟信号路径中的开关元件,适用于需要低导通电阻和高隔离度的模拟开关电路或数据采集系统。 3. 电压控制电阻:在一些需要电压调节信号幅度的电路中,该器件可用作可变电阻,如自动增益控制(AGC)电路。 4. 射频(RF)与高频电路:该JFET具备良好的高频响应,适用于射频前端、小信号放大以及通信设备中的调制解调电路。 5. 传感器接口电路:因其高输入阻抗特性,适合用于连接高阻抗传感器(如某些类型的生物传感器或压力传感器),以减少对被测系统的影响。 综上所述,2SK932-24-TB-E广泛应用于音频处理、通信系统、测试仪器及精密测量设备等对性能有较高要求的电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 50MA 200MW CPJFET NCH J-FET |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 mA |
Id-连续漏极电流 | 50 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK932-24-TB-E- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SK932-24-TB-E |
Pd-PowerDissipation | 200 mW |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 50 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 200mV @ 100µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 14.5mA @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | 3-CP |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 3,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | 50mA |
漏极电流Id-最大值 | 50 mA |
漏极连续电流 | 50 mA |
漏源极电压(Vdss) | 15V |
漏源电压VDS | 15 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
电阻-RDS(开) | - |
系列 | 2SK932 |