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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供J105由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J105价格参考。Fairchild SemiconductorJ105封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载J105参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有J105 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的J105型JFET晶体管主要应用于需要高输入阻抗和低噪声放大的模拟电路中。该器件是一款N沟道结型场效应晶体管,具有良好的高频响应和稳定性,适合用于信号放大、开关控制和模拟电路设计。 J105常见于音频放大器前端电路中,作为输入级以提高电路的输入阻抗并降低噪声。此外,它也广泛用于电压控制电路、运算放大器、模拟开关、信号处理设备及各类传感器接口电路中。 由于其封装小巧、性能稳定,J105还常用于便携式电子设备、通信设备、测试仪器以及工业控制系统等场景。在需要高精度信号处理和低功耗设计的电路中,J105是一个可靠的选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 625MW TO92JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor J105- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | J105 |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 0.005 mA to 0.015 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 4.5V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 500mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | J105FS |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 201 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS(开) | 3 欧姆 |
| 系列 | J105 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 10 V |