Datasheet下载- 型号： MMBF5460LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5460LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5460LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF5460LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBF5460LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF5460LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF5460LT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，采用SOT-23表面贴装封装。该器件具有低噪声、高输入阻抗和良好的开关特性，适用于多种模拟与高频应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET固有的低噪声特性，MMBF5460LT1G常用于前置放大电路，如音频放大器、传感器信号调理电路中，可有效提升信噪比。 2. 高频与射频电路：适用于射频接收前端、无线通信模块中的小信号放大与混频电路，广泛用于通信设备、无线传感器网络等。 3. 模拟开关与调制电路：凭借快速开关响应和低导通电阻，可用于模拟信号切换、自动增益控制（AGC）等电路中。 4. 振荡器与函数发生器：在需要稳定波形输出的场合，如正弦波振荡电路，该器件可作为有源元件使用。 5. 便携式电子设备：由于采用小型化SOT-23封装且功耗较低，适合应用于手机、可穿戴设备、电池供电仪器等空间受限的电子产品中。 综上，MMBF5460LT1G因其优异的电气性能和紧凑封装，广泛用于对尺寸、功耗和信号完整性要求较高的消费电子、工业控制及通信系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 40V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF5460LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 750mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF5460LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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