Datasheet下载- 型号： SST4119-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SST4119-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SST4119-T1-E3价格参考。VishaySST4119-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SST4119-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SST4119-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SST4119-T1-E3 是一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），属于低噪声、小信号 JFET，常用于高精度和低失真要求的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于 JFET 具有低噪声和高输入阻抗特性，SST4119-T1-E3 广泛应用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音频设备中，有助于提升音质清晰度与动态范围。 2. 传感器信号调理：在压力、温度、光强等微弱信号检测系统中，该器件可用于放大和缓冲传感器输出信号，有效减少信号失真和噪声干扰。 3. 模拟开关与可变电阻电路：凭借其良好的线性特性和稳定的跨导性能，适用于精密模拟开关、增益控制电路及自动增益调节系统。 4. 射频（RF）前端设计：在低功率射频接收电路中作为低噪声放大器（LNA）使用，提高接收灵敏度。 5. 便携式电子设备：该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23），适合空间受限的应用，如智能手机、耳机放大器、可穿戴设备等。 SST4119-T1-E3 具有良好的温度稳定性和可靠性，符合 RoHS 环保标准，适用于工业、消费类及通信领域的高性能模拟设计。其高输入阻抗和低栅极漏电流特性使其在高阻抗信号源接口中表现优异，是替代双极型晶体管用于低噪声放大的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 70V 200UA SOT-23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SST4119-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 2V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 200µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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