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  • 型号: 2SK880-Y(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK880-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK880-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK880-Y(TE85L,F)封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 50V 100mW Surface Mount USM。您可以下载2SK880-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK880-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 50V 100MW USM

产品分类

JFET(结点场效应

FET类型

N 沟道

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

2SK880-Y(TE85L,F)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的电压-截止(VGS关)

1.5V @ 100nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

1.2mA @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13pF @ 10V

供应商器件封装

USM

其它名称

2SK880-Y(TE85LF)DKR

功率-最大值

100mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

50V

电阻-RDS(开)

-

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