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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JFTJ105由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JFTJ105价格参考。Fairchild SemiconductorJFTJ105封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JFTJ105参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JFTJ105 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JFTJ105是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款结型场效应晶体管(JFET),属于N沟道JFET,广泛应用于模拟电路设计中。由于其具有低噪声、高输入阻抗和良好的热稳定性等特性,JFTJ105常用于对信号精度和稳定性要求较高的场景。 典型应用场景包括:音频放大电路,如前置放大器和麦克风放大器,因其低噪声特性可有效提升音质;传感器信号调理电路,适用于将微弱的物理信号(如温度、压力)转换为电信号并进行放大处理;以及高精度测量仪器中的输入级放大,利用其高输入阻抗减少对被测电路的影响。 此外,JFTJ105也常用于射频(RF)前端电路、振荡器和模拟开关等场合,适合需要稳定直流偏置和线性响应的系统。该器件采用SOT-23小型封装,便于在紧凑型电子设备中使用,如便携式医疗设备、工业控制模块和消费类电子产品。 综上所述,JFTJ105凭借其优异的模拟性能,主要适用于低噪声放大、信号调理和高输入阻抗输入级等关键模拟应用领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET N-CH 25V 1W SOT223 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | JFTJ105 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 4.5V @ 1µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 500mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 2,500 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
电阻-RDS(开) | 3 欧姆 |