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  • 型号: JFTJ105
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供JFTJ105由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JFTJ105价格参考。Fairchild SemiconductorJFTJ105封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JFTJ105参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JFTJ105 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

JFTJ105是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款结型场效应晶体管(JFET),属于N沟道JFET,广泛应用于模拟电路设计中。由于其具有低噪声、高输入阻抗和良好的热稳定性等特性,JFTJ105常用于对信号精度和稳定性要求较高的场景。

典型应用场景包括:音频放大电路,如前置放大器和麦克风放大器,因其低噪声特性可有效提升音质;传感器信号调理电路,适用于将微弱的物理信号(如温度、压力)转换为电信号并进行放大处理;以及高精度测量仪器中的输入级放大,利用其高输入阻抗减少对被测电路的影响。

此外,JFTJ105也常用于射频(RF)前端电路、振荡器和模拟开关等场合,适合需要稳定直流偏置和线性响应的系统。该器件采用SOT-23小型封装,便于在紧凑型电子设备中使用,如便携式医疗设备、工业控制模块和消费类电子产品。

综上所述,JFTJ105凭借其优异的模拟性能,主要适用于低噪声放大、信号调理和高输入阻抗输入级等关键模拟应用领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 25V 1W SOT223

产品分类

JFET(结点场效应

FET类型

N 沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

JFTJ105

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的电压-截止(VGS关)

4.5V @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

500mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

供应商器件封装

SOT-223-3

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

标准包装

2,500

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

25V

电阻-RDS(开)

3 欧姆

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