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Datasheet下载- 型号： MMBF5461
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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MMBF5461产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5461由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5461价格参考。Fairchild SemiconductorMMBF5461封装/规格：晶体管 - JFET， JFET P-Channel 40V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBF5461参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF5461 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBF5461是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：MMBF5461具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器电路，如音频放大器、传感器信号调理电路等，能有效提升信号质量。 2. 模拟开关与调制电路：由于其良好的开关特性和线性控制能力，可用于模拟信号的切换或调制，常见于通信设备和测量仪器中。 3. 振荡器与射频电路：在高频小信号应用中，该器件可作为振荡器中的有源元件，适用于射频（RF）信号生成和处理电路。 4. 高输入阻抗输入级：在运算放大器、仪表放大器等集成电路的输入级设计中，MMBF5461可提供高输入阻抗，减少对前级电路的负载影响。 5. 便携式电子设备：因其采用SOT-23小型封装，功耗低，适合应用于手机、耳机放大器、便携式音频设备等空间受限的场合。 综上，MMBF5461广泛用于需要低噪声、高输入阻抗和小尺寸封装的模拟信号处理领域，尤其适用于消费电子、工业传感和通信系统中的小信号放大与控制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET P-CH 40V 225MW SOT23JFET P-Channel Transistor General Purpose |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF5461- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF5461 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 12 mA to 25 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF5461DKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0015 S to 0.005 S |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | MMBF5461 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 40 V |
| 闸/源截止电压 | 7.5 V |
