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Datasheet下载- 型号： 2SK208-O(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK208-O(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK208-O(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK208-O(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK208-O(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK208-O(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 的 2SK208-O(TE85L,F) 是一款结型场效应晶体管（JFET），属于N沟道JFET，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟信号处理场合。该器件具有良好的高频特性和低噪声性能，适用于对信号保真度要求较高的电路。 主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于其低噪声和高线性特性，2SK208-O 常用于前置放大器、麦克风放大器和高保真（Hi-Fi）音频设备中，有助于提升音质清晰度与动态范围。 2. 传感器信号调理：在微弱信号检测系统中（如医疗仪器、精密测量设备），该JFET可作为输入级放大元件，有效减少信号失真并提高信噪比。 3. 射频（RF）前端电路：适用于低功率射频接收系统中的小信号放大，因其良好的高频响应能力，可用于通信设备中的射频放大或混频电路。 4. 高输入阻抗缓冲器：在示波器、信号发生器等测试测量仪器中，用作电压跟随器或阻抗变换器，以隔离前后级电路，防止负载效应。 2SK208-O(TE85L,F) 采用小型表面贴装封装（如SOT-23），适合空间受限的便携式电子设备。其稳定的电气性能和可靠性使其在工业控制、消费电子及通信领域均有广泛应用。总体而言，这是一款适用于精密模拟信号处理的通用低噪声JFET，特别适合需要高输入阻抗和低失真的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH S-MINI FET |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK208 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK208-O(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 400mV @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 600µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8.2pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | 2SK208-O(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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