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  • 型号: MCH3914-8-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3914-8-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3914-8-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3914-8-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3914-8-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3914-8-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCH3914-8-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款结型场效应晶体管(JFET),常用于模拟开关和多路复用器电路中。该器件为双通道、高压、增强型JFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合多种工业和通信应用。

主要应用场景包括:

1. 工业自动化控制:用于PLC(可编程逻辑控制器)中的信号切换和隔离,实现对传感器或执行器的高效控制。

2. 测试与测量设备:在多路复用器/解复用器电路中用于选择和路由模拟信号,适用于数据采集系统和测试仪器。

3. 通信系统:用于高频信号切换,如在射频(RF)前端模块中实现信号路径的选择。

4. 电源管理系统:用于高侧开关控制或负载切换,实现对电源路径的高效管理。

5. 汽车电子:适用于车载电源管理、传感器信号切换等场景,满足汽车电子对可靠性和稳定性的要求。

该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于需要高可靠性和高性能模拟开关功能的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3

产品分类

JFET(结点场效应

FET类型

N 沟道

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MCH3914-8-TL-H

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的电压-截止(VGS关)

600mV @ 10µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

25mA @ 5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4.9pF @ 5V

供应商器件封装

3-MCPH

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

标准包装

3,000

漏极电流(Id)-最大值

50mA

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

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